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日期:2021-03-05
HgCdTe探測器逐漸成為一種流行趨勢,而其中的光電二極管則成為起到關鍵作用的光學元件,但在探測器的研究中,光電二極管與探測器的結合還有很多缺陷,接下來,成光興小編就來和大家探討一下探測器中光電二極管需要改進的地方。
在HgCdTe雪崩光電二極管的研究方面,國外已做了大量的工作,但國內的研究還處于起步階段,需要突破的關鍵技術主要有:
1、低缺陷碲鎘汞材料的生長技術,由于HgCdTe APD光電二極管工作偏壓較高,材料內部的位錯會導致器件在高偏壓下的性能變差,因此要求碲鎘汞外延材料具有較低的位錯密度;
2、pn結結技術,離子注入和退火技術,這是HgCdTe APD制備平面結的關鍵技術之一,離子注入后,通過退火控制各區域的位置及摻雜濃度,形成理想的PIN結構;
3、暗電流的抑制技術,要求暗電流和材料的截止波長、工作溫度、表面漏電流等因素與普通焦平面探測器件有著直接的聯系,需要對暗電流進行分析,并采用新的測量方法。
以上便是光電二極管需要改進的內容,在實際生產研究中,研究人員要大膽創新,采用新的方法來使其功能得到改善,應用范圍得以擴大。關于雪崩光電二極管的內容還有很多,成光興小編先分享到這里了。
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