日期：2021-03-09
相對于大多數III-Ⅴ族化合物探測器，硅的碰撞電離系數比值較低，所以硅鍺雪崩二極管探測器的噪聲小，帶寬寬。為利用鍺在近紅外區的強吸收和硅的低倍增噪聲優勢，市面上生產了一種基于吸收層、電荷層和倍增層分離結構的硅鍺雪崩二極管探測器。由于其較小的寄生電容以及對量子效率和載流子傳輸時間的解耦，探測器采用波導設計而非垂直入射，從而獲得了更高的量子效率和帶寬。
此外，波導雪崩光電二極管探測器可以集成到復雜的光子集成電路中，比如包含波分復用器的光子集成電路。利用分布式布拉格反射體，雪崩二極管探測器的量子效率在通信頻段由60%提高到90%。
帶分布式布拉格反射器的雪崩光電二極管探測器帶寬仍可達25GHz，與不帶分布式布拉格反射器的雪崩光電二極管探測器帶寬相當。該設計還實現了10V低擊穿電壓和近500GHz的帶寬增益積，并且在64Gb/s速率下能成功實現無誤碼傳輸。
雪崩光電二極管探測器設計在擊穿電壓、量子效率、倍增增益、器件帶寬和附加噪聲等方面具有較好的性能，將為下一代高帶寬、高能效的光學互連技術在大型數據中和高性能計算中發揮重要作用。
以上便是波導硅鍺雪崩光電二極管探測器的相關事項。
關注微信
技術支持：百川互聯 Copyright@ 2019 深圳成光興光電技術股份有限公司 粵ICP備15026167號-1
<code id="kvk1g"></code>